点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:13 ns
工厂包装数量:3000
功率耗散:1 W
包装形式:Reel
封装形式:TUMT-6
安装风格:SMD/SMT
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.27 Ohms
漏极连续电流:1.4 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
以上是US6K2TR的详细信息,包括US6K2TR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!