US6M1TR

厂家：: ROHM Semiconductor
封装：: TUMT6
数量：: 2313
说明：: MOSFET N+P 30 20V 1A

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US6M1TR PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：13 nS, 25 nS
工厂包装数量：3000
上升时间：6 nS, 8 nS
功率耗散：1 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：1.4 nC, 2.1 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：1 S, 0.7 S
下降时间：8 nS, 10 nS
包装形式：Reel
封装形式：TUMT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：170 mOhms at 10 V, 280 mOhms at - 4.5 V
漏极连续电流：+/- 1.4 A, +/- 1 A
闸/源击穿电压：+ 20 V, - 12 V
汲极/源极击穿电压：+ 30 V, - 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

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