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US6M11TR

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TUMT6
数量：: 23766
说明：: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TUMT6

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中文参数如下：

FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 1.5A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V, 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.5A, 1.3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：1.8nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：110pF @ 10V
功率 - 最大：700mW
安装类型：表面贴装

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