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中文参数如下:
上升时间:32.8 nS
功率耗散:2 W
栅极电荷 Qg:6.5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.7 S
下降时间:23.7 nS
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.25 Ohms
漏极连续电流:0.5 A
汲极/源极击穿电压:450 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Taiwan Semiconductor
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