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中文参数如下:
功率耗散:0.9 W
栅极电荷 Qg:6.5 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.7 S
封装形式:SOP-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):4.25 Ohms
漏极连续电流:0.5 A
汲极/源极击穿电压:450 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Taiwan Semiconductor
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