TSM1N60SCT

厂家：: Taiwan Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 1989
说明：: MOSFET 600V 1A N channel MOSFET

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TSM1N60SCT PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：A3
典型关闭延迟时间：25 ns
工厂包装数量：2000
上升时间：20 ns
功率耗散：3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：24 ns
包装形式：Ammo
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：13 Ohms
漏极连续电流：0.3 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Taiwan Semiconductor

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