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TK31J60W,S1VQ

厂家：
  Toshiba
封装：
 TO-3P（N）
数量：
 8118  
说明：
 MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC
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TK31J60W,S1VQ-TO-3P（N）图片

TK31J60W,S1VQ PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：230 W
栅极电荷 Qg：105 nC
包装形式：Tube
封装形式：TO-3P
安装风格：Through Hole
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.088 Ohms
漏极连续电流：30.8 A
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TK31J60W,S1VQ的详细信息，包括TK31J60W,S1VQ厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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