TK33S10N1Z,LQ

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: DPAK+
数量：: 3915
说明：: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

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TK33S10N1Z,LQ PDF参数资料

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中文参数如下：
：175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：125W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2050 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：28 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.7 毫欧 @ 16.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Ta）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：U-MOSVIII-H
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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