TK32E12N1,S1X

厂家：: Toshiba
封装：: TO-220-3
数量：: 8173
说明：: MOSFET N-Ch 60A 98W FET 120V 2000pF 34nC

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TK32E12N1,S1X PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：43 ns
上升时间：14 ns
功率耗散：98 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：34 nC
下降时间：14 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11 mOhms
漏极连续电流：60 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：120 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

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