点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
典型关闭延迟时间:8 ns
工厂包装数量:50
上升时间:80 ns
功率耗散:40 W
栅极电荷 Qg:17 nC
下降时间:105 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220 SIS
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.3 Ohms
漏极连续电流:15 A
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TK15A60U(Q)的详细信息,包括TK15A60U(Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!