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TK15S04N1L,LQ

厂家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封装：: DPAK+
数量：: 4203
说明：: MOSFET N-CH 40V 15A DPAK

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TK15S04N1L,LQ PDF参数资料

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中文参数如下：
：175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：46W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：610 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：17.8 毫欧 @ 7.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：15A（Ta）
漏源电压（Vdss）：40 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：U-MOSVIII-H
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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