中文参数如下:
工厂包装数量:20
上升时间:15 ns
功率耗散:150 W
下降时间:10 ns
包装形式:Bulk
封装形式:TO-3P(W)
安装风格:Through Hole
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.4 Ohms
漏极连续电流:15 A
闸/源击穿电压:30 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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