SUP40P10-43-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-220-3
数量：: 3582
说明：: MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB

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SUP40P10-43-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：43 毫欧 @ 10A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：36A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：160nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4600pF @ 50V
功率 - 最大：2W
安装类型：通孔

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