SUP40N10-30-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-220-3
数量:
 3564  
说明:
 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SUP40N10-30-GE3-TO-220-3图片

SUP40N10-30-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:30 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:38.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:60nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2400pF @ 25V
功率 - 最大:3.1W
安装类型:通孔

以上是SUP40N10-30-GE3的详细信息,包括SUP40N10-30-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC