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SUP40N10-30-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-220-3
数量：
 3564  
说明：
 MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
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SUP40N10-30-GE3-TO-220-3图片

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中文参数如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：38.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：60nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2400pF @ 25V
功率 - 最大：3.1W
安装类型：通孔

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