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SUB50P05-13LT

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-263
数量：
 18  
说明：
 MOSFET 55V 50A 200W
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SUB50P05-13LT PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：800
功率耗散：200 W
包装形式：Tube
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.48 Ohms
漏极连续电流：10.7 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 55 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：过渡期间
制造商：Vishay

以上是SUB50P05-13LT的详细信息，包括SUB50P05-13LT厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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