首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SUB60N06-18-E3

SUB60N06-18-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-263-3
数量：: 45
说明：: MOSFET 60V 60A 120W

一、本商品被浏览0次.

SUB60N06-18-E3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：25 ns
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：800
上升时间：11 ns
功率耗散：120 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：15 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：18 mOhms
漏极连续电流：60 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUB60N06-18-E3的详细信息，包括SUB60N06-18-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：