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SUB70N03-09P-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-263-3
数量：
 117  
说明：
 MOSFET 30V 70A 93W
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SUB70N03-09P-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：800
上升时间：7 ns
功率耗散：93 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-263-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：9 mOhms
漏极连续电流：70 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUB70N03-09P-E3的详细信息，包括SUB70N03-09P-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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