SUB50N03-20C

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-263
数量:
 9  
说明:
 MOSFET 30V 50A 83W
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SUB50N03-20C PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:800
功率耗散:83 W
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.02 Ohms
漏极连续电流:50 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:过渡期间
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUB50N03-20C的详细信息,包括SUB50N03-20C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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