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SUB50N03-20C

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-263
数量：
 9  
说明：
 MOSFET 30V 50A 83W
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SUB50N03-20C PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：800
功率耗散：83 W
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.02 Ohms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：过渡期间
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUB50N03-20C的详细信息，包括SUB50N03-20C厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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