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STP3NA60

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220
数量：: 2682
说明：: MOSFET N-Ch 600 Volt 2.9 A

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STP3NA60 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：25 ns
功率耗散：80 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：24 ns
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4 Ohms
漏极连续电流：2.9 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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