STP3NB60

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-220
数量:
 2700  
说明:
 MOSFET RO 512-FQP3N60 3/05
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

STP3NB60 PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:50
上升时间:7 ns
功率耗散:80 W
最小工作温度:- 65 C
下降时间:13 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):3.6 Ohms
漏极连续电流:3.3 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:STMicroelectronics

以上是STP3NB60的详细信息,包括STP3NB60厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • STP3NK60Z图片

    STP3NK60Z

    MOSFET N-Ch 600 Volt 2.4 A Zener SuperMESH

  • STP3NK80Z图片

    STP3NK80Z

    MOSFET N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC