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STP3NA80

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220
数量：: 2691
说明：: MOSFET REORD 511-STP3NB80 TO-220 N-CH 800V 3.1

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STP3NA80 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：55 ns
功率耗散：100 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：15 ns
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.5 Ohms
漏极连续电流：3.1 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

以上是STP3NA80的详细信息，包括STP3NA80厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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