首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > STP11NM60ND

STP11NM60ND

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-220
数量：
 2799  
说明：
 MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
STP11NM60ND-TO-220图片

STP11NM60ND PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：50 ns
上升时间：7 ns
功率耗散：90 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：9 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.45 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STP11NM60ND的详细信息，包括STP11NM60ND厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPP120N06S4H1AKSA2
  • AOTF22N50
  • AOTF20N60
  • TPH4R50ANH1,LQ
  • 2SK3564(STA4,Q,M)
  • SIR616DP-T1-GE3
  • IPD35N12S3L24ATMA1
  • RQ3L090GNTB
  • BSZ067N06LS3GATMA1
  • BSC066N06NSATMA1

    • 相近型号推荐

    • STP11NM80图片

      STP11NM80

      MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

    • STP12IE90F4图片

      STP12IE90F4

      功率驱动器IC Swtch Bi Transistr ESBT 900 V 12

    • STP12NK60Z图片

      STP12NK60Z

      MOSFET N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC