STP11NM60ND

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220
数量：: 2799
说明：: MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II

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STP11NM60ND PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：50 ns
上升时间：7 ns
功率耗散：90 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：9 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.45 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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