STP11NM65N

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-220-3
数量:
 3309  
说明:
 MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
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STP11NM65N PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:55 ns
上升时间:13 ns
功率耗散:125 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:20 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.38 Ohms
漏极连续电流:12 A
闸/源击穿电压:+/- 25 V
汲极/源极击穿电压:650 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STP11NM65N的详细信息,包括STP11NM65N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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