STP11NM80

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220
数量：: 2808
说明：: MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

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STP11NM80 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：46 ns
工厂包装数量：50
上升时间：17 ns
功率耗散：150 W
最小工作温度：- 65 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：8 S
下降时间：15 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.4 Ohms
漏极连续电流：11 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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