STP11NM50N

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220-3
数量：: 3214
说明：: MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 7.5A

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STP11NM50N PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：33 ns
上升时间：10 ns
功率耗散：70 W
栅极电荷 Qg：19 nC
下降时间：10 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：470 mOhms
漏极连续电流：8.5 A
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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