STGW50HF60SD

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-247-3
数量：: 3717
说明：: IGBT 晶体管 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces

一、本商品被浏览0次.

STGW50HF60SD PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

安装风格：Through Hole
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
最大工作温度：+ 150 C
功率耗散：284 W
栅极—射极漏泄电流：+/- 100 nA
在25 C的连续集电极电流：110 A
栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
集电极—射极饱和电压：1.15 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
配置：Single
RoHS：是
产品种类：IGBT 晶体管
制造商：STMicroelectronics

以上是STGW50HF60SD的详细信息，包括STGW50HF60SD厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET 开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

IGBT 晶体管最新产品：