SSM6N48FU,RF

厂家:
  Toshiba
封装:
 SOT-363
数量:
 9777  
说明:
 MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 N-Ch 0.1A 30V -20V
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SSM6N48FU,RF PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:300 mW
包装形式:Reel
封装形式:SOT-363
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):3.2 Ohms
漏极连续电流:100 mA
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba

以上是SSM6N48FU,RF的详细信息,包括SSM6N48FU,RF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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