SSM6N7002FUTE85LF

厂家：: Toshiba
封装：: US-6
数量：: 8220
说明：: MOSFET SMOS

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SSM6N7002FUTE85LF PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：69 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：72 ns
功率耗散：300 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：72 ns
包装形式：Reel
封装形式：US-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3000 mOhms
漏极连续电流：0.2 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

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