SSM6N55NU,LF

厂家:
  Toshiba
封装:
 6-μDFN(2x2)
数量:
 9781  
说明:
 MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS 4.5GD
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SSM6N55NU,LF-6-μDFN(2x2)图片

SSM6N55NU,LF PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:1 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:2.5 nC
包装形式:Reel
封装形式:UDFN-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):64 mOhms
漏极连续电流:4 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba

以上是SSM6N55NU,LF的详细信息,包括SSM6N55NU,LF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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