SQM120N04-1M7L-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-263
数量:
 1500  
说明:
 MOSFET 40V 120A 375W NCh Automotive
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SQM120N04-1M7L-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:74 ns
上升时间:10 ns
功率耗散:375 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:190 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :212 S
下降时间:12 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0015 Ohms
漏极连续电流:120 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SQM120N04-1M7L-GE3的详细信息,包括SQM120N04-1M7L-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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