SQM40N10-30-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-263
数量：: 2637
说明：: MOSFET 100V 40A 107W 30mohm @ 10V

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SQM40N10-30-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：800
功率耗散：107 W
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms
漏极连续电流：40 A
闸/源击穿电压：3.5 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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