SQM47N10-24L-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-263
数量:
 2655  
说明:
 MOSFET 100V 47A 136W N-Ch Automotive
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SQM47N10-24L-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:32 nS
上升时间:6 nS
功率耗散:136 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:48 nC
下降时间:6 nS
包装形式:Reel
封装形式:TO-263
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.024 Ohms at 10 V
漏极连续电流:47 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SQM47N10-24L-GE3的详细信息,包括SQM47N10-24L-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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