SQM110N04-03-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-263
数量：: 2547
说明：: MOSFET 40V 110A 375W 2.8mohm @ 10V

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SQM110N04-03-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：55 ns
工厂包装数量：800
上升时间：170 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：110 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0028 Ohms
漏极连续电流：110 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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