SQM110N06-06-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-263
数量：: 2592
说明：: MOSFET 60V 120A 230W 6.0mohm @ 10V

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SQM110N06-06-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：34 ns
工厂包装数量：800
功率耗散：230000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6 mOhms
漏极连续电流：120 A
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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