SQD50N04-09H-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-252AA
数量：: 2259
说明：: MOSFET 40V 50A 83W N-Ch Automotive

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SQD50N04-09H-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：83 W
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.015 Ohms
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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