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SQD50N05-11L-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-252
数量：
 8325  
说明：
 MOSFET 50V 50A 75W
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SQD50N05-11L-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22.5 ns
上升时间：11.5 ns
功率耗散：75 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：34.6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：58 S
下降时间：7.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：50 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD50N05-11L-GE3的详细信息，包括SQD50N05-11L-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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