首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SQD50N05-11L-GE3

SQD50N05-11L-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-252
数量：
 8325  
说明：
 MOSFET 50V 50A 75W
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SQD50N05-11L-GE3-TO-252图片

SQD50N05-11L-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22.5 ns
上升时间：11.5 ns
功率耗散：75 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：34.6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：58 S
下降时间：7.5 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
漏极连续电流：50 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：50 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD50N05-11L-GE3的详细信息，包括SQD50N05-11L-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPB100N04S303ATMA1
  • SQJ138ELP-T1_GE3
  • SI7157DP-T1-GE3
  • NVMFS5C456NT1G
  • SPW15N60CFDFKSA1
  • RJK0853DPB-00#J5
  • NP45N06PUK-E1-AY
  • SIR184LDP-T1-RE3
  • RD3L150SNFRATL
  • NVTFS5C454NLWFTAG

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC