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SQD50P04-13L-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 TO-252
数量：
 2295  
说明：
 MOSFET 40V 50A 83W P-Ch Automotive
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SQD50P04-13L-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：40 nS
上升时间：12 nS
功率耗散：83 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：60 nC
下降时间：16 nS
包装形式：Reel
封装形式：TO-252
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：10 mOhms
漏极连续电流：- 50 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 40 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD50P04-13L-GE3的详细信息，包括SQD50P04-13L-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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