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SPP100N08S2L-07

厂家：
  Infineon Technologies
封装：
 PG-TO220-3-1
数量：
 1809  
说明：
 MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
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SPP100N08S2L-07 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6.8 毫欧 @ 68A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)75V
Id 时的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs246nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 7130pF @ 25V
功率 - 最大300W
安装类型通孔

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