首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SPP10N10

SPP10N10

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO220-3-1
数量：: 1926
说明：

一、本商品被浏览0次.

SPP10N10 PDF参数资料

中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：426 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19.4 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 21μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：170 毫欧 @ 7.8A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10.3A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：SIPMOS?
系列：管件
品牌：Infineon Technologies

以上是SPP10N10的详细信息，包括SPP10N10厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：