SPP11N65C3XKSA1

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO220-3-1
数量:
 8262  
说明:
 MOSFET
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SPP11N65C3XKSA1 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SP000681046 SPP11N65C3HKSA1
典型关闭延迟时间:44 ns
上升时间:5 ns
功率耗散:125 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:45 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :8.3 S
下降时间:5 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.38 Ohms
漏极连续电流:11 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:650 V
RoHS:是
制造商:Infineon

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