SPI80N06S2-08

厂家：: Infineon Technologies
封装：: PG-TO262-3-1
数量：: 4257
说明：: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK

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SPI80N06S2-08 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 毫欧 @ 58A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：96nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3800pF @ 25V
功率 - 最大：215W
安装类型：通孔

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