SPI80N06S2L-05

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO262-3-1
数量:
 4266  
说明:
 MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
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SPI80N06S2L-05 PDF参数资料

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中文参数如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.8 毫欧 @ 80A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:80A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:230nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :7530pF @ 25V
功率 - 最大:300W
安装类型:通孔

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