SPI80N10L

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO262-3-1
数量:
 2718  
说明:
 
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SPI80N10L PDF参数资料

中文参数如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):250W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4540 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):240 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 2mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):14 毫欧 @ 58A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A(Tc)
漏源电压(Vdss):100 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:停产
包装:SIPMOS?
系列:管件
品牌:Infineon Technologies

以上是SPI80N10L的详细信息,包括SPI80N10L厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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