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SIS778DN-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK? 1212-8
数量：
 3402  
说明：
 MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts
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SIS778DN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8图片

SIS778DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIS778DN-GE3
典型关闭延迟时间：20 ns
上升时间：12 ns
功率耗散：52 W
栅极电荷 Qg：27.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：60 S
下降时间：9 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK 1212-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.004 Ohms
漏极连续电流：35 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIS778DN-T1-GE3的详细信息，包括SIS778DN-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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