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SIS892ADN-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK? 1212-8
数量：
 3438  
说明：
 MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET
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SIS892ADN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8图片

SIS892ADN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIS892ADN-GE3
功率耗散：52 W
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK 1212-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：33 mOhms at 10 V
漏极连续电流：28 A
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIS892ADN-T1-GE3的详细信息，包括SIS892ADN-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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