SISA04DN-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? 1212-8
数量：: 3465
说明：: MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV

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SISA04DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SISA04DN-GE3
功率耗散：52 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK 1212-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.15 mOhms at 10 V
漏极连续电流：40 A
闸/源击穿电压：+ 20 V, - 16 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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