SISA04DN-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? 1212-8
数量:
 3465  
说明:
 MOSFET 30V 2.15mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
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SISA04DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SISA04DN-GE3
功率耗散:52 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK 1212-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):2.15 mOhms at 10 V
漏极连续电流:40 A
闸/源击穿电压:+ 20 V, - 16 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SISA04DN-T1-GE3的详细信息,包括SISA04DN-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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