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SISA18DN-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? 1212-8
数量：: 3519
说明：: MOSFET 30V 38.3A 19.8W 7.5mohm @ 10V G4

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SISA18DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：30 ns
商标名：TrenchFET Gen IV
上升时间：20 ns
功率耗散：19.8 W
栅极电荷 Qg：6.9 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：54 S
下降时间：14 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK 1212-8
安装风格：SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0075 Ohms
漏极连续电流：38.3 A
闸/源击穿电压：2.4 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SISA18DN-T1-GE3的详细信息，包括SISA18DN-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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