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SIS890DN-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK? 1212-8
数量：
 5913  
说明：
 MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET
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SIS890DN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8图片

SIS890DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIS890DN-GE3
功率耗散：52 W
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK 1212-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：23.5 mOhms at 10 V
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：3 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIS890DN-T1-GE3的详细信息，包括SIS890DN-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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