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中文参数如下:
零件号别名:SIS780DN-GE3
典型关闭延迟时间:14 ns
上升时间:11 ns
功率耗散:27.7 W
栅极电荷 Qg:16.3 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :25 S
下降时间:9 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK 1212-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.011 Ohms
漏极连续电流:18 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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