SIJ482DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 5373
说明：: MOSFET 80V 6.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

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SIJ482DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIJ482DP-GE3
功率耗散：69.4 W
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8L
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.2 mOhms at 10 V
漏极连续电流：60 A
闸/源击穿电压：2.7 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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